PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors The 2SD1207-S is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Sanyo. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (ft)**: 120MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 120-400
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SD1207-S transistor as provided by Sanyo.