MEDIUM POWER TRANSISTOR The 2SD1200 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 1A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Storage Temperature Range**: -55°C to 150°C

These specifications are typical for the 2SD1200 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.