Small-signal device The part 2SD1199 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Mitsubishi Electric. It is designed for use in high-frequency amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is housed in a TO-92 package.