NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors Driver Applications The part 2SD1192 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SAY. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications for the 2SD1192 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1192 transistor and may vary slightly depending on the specific operating conditions and manufacturer tolerances.