Si NPN triple diffused junction mesa. Line-operated horizontal deflection output. The 2SD1175 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Vce=5V, Ic=0.5A)
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz (at Vce=10V, Ic=0.5A, f=1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific batch or manufacturing conditions.

Si NPN triple diffused junction mesa. Line-operated horizontal deflection output. The 2SD1175 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = 1A, VCE = 10V)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1175 transistor as provided by TOSHIBA.

Si NPN triple diffused junction mesa. Line-operated horizontal deflection output. The part 2SD1175 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Its key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Collector Dissipation (Pc):** 30W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (at Vce=5V, Ic=1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min)
- **Package:** TO-220

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.