NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR The part 2SD1162 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications for the 2SD1162 transistor are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Collector Current (I_C):** 1.5A
- **Collector Dissipation (P_C):** 10W
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (f_T):** 80MHz

The transistor is packaged in a TO-220AB package, which is a common through-hole package for power transistors. The 2SD1162 is suitable for applications requiring medium power amplification and switching.