Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Darlington power transistor) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications The part 2SD1140 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = 2V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz (min)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the datasheet provided by TOSHIBA for the 2SD1140 transistor.