NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Driver Applications The part 2SD1111 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications of the 2SD1111 transistor include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Dissipation (PC):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1111 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.