SILICON NPN DOUBLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) The part 2SD1069 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: NPN transistor
2. **Package**: TO-220F (fully molded)
3. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120 V
4. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120 V
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
6. **Collector Current (IC)**: 12 A
7. **Base Current (IB)**: 3 A
8. **Total Power Dissipation (PT)**: 40 W
9. **Junction Temperature (Tj)**: 150 °C
10. **Storage Temperature (Tstg)**: -55 to 150 °C
11. **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 5 A, VCE = 2 V)
12. **Transition Frequency (fT)**: 20 MHz (typical)
13. **Applications**: General-purpose amplification and switching.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.