POWER TRANSISTORS(12A,50V,40W) The part 2SD1062 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 30W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = 10V)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1062 transistor as provided by SANYO.