Medium Power Transistor (32V, 2A) The 2SD1055 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by various companies, including Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Total Power Dissipation (PTOT)**: 25W
- **Junction Temperature (TJ)**: 150°C
- **Storage Temperature (TSTG)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (typically measured at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (typically measured at IC = 0.5A, VCE = 10V, f = 1MHz)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))**: 0.5V (typically measured at IC = 1A, IB = 0.1A)

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.