SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) The 2SD1052A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features a high current capability. The key specifications are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V
- **Collector Current (IC):** 12 A
- **Collector Dissipation (PC):** 40 W
- **Junction Temperature (Tj):** 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55 to 150 °C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 5 A, VCE = 2 V)
- **Transition Frequency (fT):** 20 MHz (at IC = 1 A, VCE = 10 V)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.5 V (max) (at IC = 5 A, IB = 1 A)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1052A transistor.