TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH CURRENT HIGH SPEED SWITCHING The part 2SD1049 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by FUJI. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN transistor
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 1.5A
- **Power Dissipation (P_C)**: 20W
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C
- **Storage Temperature (T_stg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 320 (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 20MHz (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.