Bipolar Transistor The part 2SD1048-7-TB-E is a transistor manufactured by SANYO. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, typically used in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 6V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SD1048-7-TB-E transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.