NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors For LF Power Amplifier, 50W Output Large Power Switching Applications The 2SD1046 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 12A
- **Collector Dissipation (PC)**: 100W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at IC = 5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = 10V)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the typical characteristics of the 2SD1046 transistor as provided by SANYO.