isc Silicon NPN Power Transistors The 2SD103 is a transistor manufactured by Toshiba. According to the TOS (Toshiba) specifications, it is an NPN silicon epitaxial planar type transistor. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 0.7A
- **Total Power Dissipation (PT):** 0.8W
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C

The transistor is typically used in general-purpose amplification and switching applications. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official Toshiba datasheet.