NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The 2SD1006 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (at IC = 1A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SD1006 transistor.

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The 2SD1006 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SK. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz

These specifications are typical for the 2SD1006 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.