NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The 2SD1005 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Collector Dissipation (Pc):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 60MHz (at Ic = 0.5A, Vce = 5V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the typical characteristics provided by NEC for the 2SD1005 transistor.