Silicon transistor The 2SD1005-T1 is a bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined in the documentation.