NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The 2SD1001 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 120MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by NEC for the 2SD1001 transistor.