NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The 2SD1001 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions.