NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The 2SD1000 is a silicon NPN transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 150V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 150V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 1.5A
- **Maximum Power Dissipation (P_D)**: 20W
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 320
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the typical values provided by NEC for the 2SD1000 transistor.