NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor The 2SC945-GR is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by SAMSUNG. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 50V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 150mA
- **Power Dissipation (Pc)**: 250mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 90 to 600 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 300MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC945-GR transistor and are used in various amplification and switching applications.

NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor The 2SC945-GR is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 150mA  
- **Power Dissipation (Pc):** 250mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 90 to 600 (depending on the variant)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Package:** TO-92  

These specifications are typical for the 2SC945-GR transistor. Always refer to the manufacturer's datasheet for precise details.