AM Converter, FM RF.IF Amp Applications The 2SC930 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 0.7A
- **Maximum Power Dissipation (P_D)**: 0.8W
- **Transition Frequency (f_T)**: 120MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 320
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SC930 transistor as provided by Toshiba.

AM Converter, FM RF.IF Amp Applications The 2SC930 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 100mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 820 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SC930 transistor.