NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) The 2SC908 is a silicon NPN transistor manufactured by Mitsubishi Electric Corporation (MIT). It is designed for high-frequency amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 20V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 50mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 200mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 600MHz
- **Gain Bandwidth Product (f_T)**: 600MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SC908 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturer tolerances.