Si NPN Epitaxial Planar The 2SC828 is a silicon NPN transistor manufactured by Panasonic (PANA). Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V
- **Maximum Collector Current (I_C):** 50mA
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 300mW
- **Transition Frequency (f_T):** 80MHz
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 to 820
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SC828 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

Si NPN Epitaxial Planar The 2SC828 is a general-purpose NPN transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Power Dissipation (Pc)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 820 (depending on the variant)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for general-purpose amplification and switching applications.

Si NPN Epitaxial Planar The 2SC828 is a general-purpose NPN transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 820 (depending on the variant)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.