TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) The 2SC752 is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications based on the available knowledge:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification, particularly in VHF/UHF bands
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 2.5dB (typical at 100MHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC752 transistor and are subject to variation based on operating conditions. Always refer to the official Toshiba datasheet for precise details.