SILICON EPITAXIAL PLANAR The 2SC641 is a silicon NPN transistor manufactured by Hitachi. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 1A
- **Maximum Power Dissipation (P_C)**: 800mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60-320
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

SILICON EPITAXIAL PLANAR The 2SC641 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 100mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is typically used in RF and general-purpose amplification circuits.