FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE The 2SC6120 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Mitsubishi. It is designed for use in RF amplifiers and other high-frequency applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Transition Frequency (fT)**: 6GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-89

These specifications make the 2SC6120 suitable for applications requiring high-speed switching and amplification in the RF spectrum.