Power Device The 2SC5993 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Package**: TO-3P

This transistor is designed for use in high-voltage switching applications, such as power supplies and inverters.

Power Device The 2SC5993 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 10A
- **Collector Dissipation (PC)**: 100W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE=5V, IC=5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for high-voltage switching applications, such as in power supplies and inverters.