Silicon NPN triple diffusion mesa type The 2SC5931 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and VHF applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-23

These specifications are typical for RF amplification and switching applications.