Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process) High-Speed and High-Voltage Switching Applications The 2SC5930 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 1500V
- **Collector Current (IC):** 10A
- **Collector Power Dissipation (PC):** 50W
- **DC Current Gain (hFE):** 8 to 40
- **Transition Frequency (fT):** 10MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5930 transistor, which is designed for use in high-voltage switching applications such as power supplies and inverters.