Silicon NPN triple diffusion mesa type The 2SC5909 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. It is designed for use in high-frequency amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is available in a TO-92 package.