Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications The 2SC5906 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 8A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 4A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Applications**: High-voltage switching, power amplification

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC5906 transistor.