Power Device The 2SC5905 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 10A
- **Power Dissipation (P_C)**: 50W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 8 to 40 (at I_C = 5A, V_CE = 5V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 4MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

This transistor is commonly used in high-voltage applications such as power supplies, inverters, and other switching circuits.

Power Device The 2SC5905 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 1500V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V
- **Collector Current (IC):** 5A
- **Collector Dissipation (PC):** 50W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT):** 10MHz
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5905 transistor, designed for applications requiring high voltage and high-speed switching.