Silicon NPN triple diffusion mesa type The 2SC5902 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 5A
- **Power Dissipation (P_C)**: 50W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 8 to 40
- **Transition Frequency (f_T)**: 10MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for high-voltage switching applications, such as in power supplies and inverters.

Silicon NPN triple diffusion mesa type The 2SC5902 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 8MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5902 transistor, designed for applications requiring high voltage and high-speed switching.