Silicon NPN triple diffusion mesa type The 2SC5885 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 1500V
- **Collector Current (IC)**: 15A
- **Power Dissipation (Pc)**: 100W
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at IC = 5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **Package**: TO-3P
- **Applications**: High-voltage switching, power supply circuits, and other high-power applications.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SC5885 transistor.

Silicon NPN triple diffusion mesa type The 2SC5885 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic (PANA). It is designed for high-speed switching applications and is commonly used in power supply circuits. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 1500V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 800V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 7V
- Collector Current (IC): 8A
- Collector Dissipation (PC): 50W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C
- DC Current Gain (hFE): 8 to 40
- Transition Frequency (fT): 3MHz
- Package: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5885 transistor and are subject to variations based on operating conditions and manufacturing tolerances.