Medium power transistor (60V, 0.5A) The 2SC5876T106Q is a transistor manufactured by ROHM. According to Ic-phoenix technical data files, it is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 100mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW
- **Transition Frequency (fT):** 6GHz
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package:** SOT-343 (SC-70)

This transistor is commonly used in RF and microwave applications due to its high-frequency performance.