Medium power transistor (60V, 0.5A) The 2SC5876 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by ROHM. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 900V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 6A
- **Collector Dissipation (PC)**: 40W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60 (at IC = 3A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Applications**: High-speed switching, power amplification, and general-purpose amplification.

These specifications are based on ROHM's datasheet for the 2SC5876 transistor.