Medium power transistor (60V, 0.5A) The 2SC5876 T106Q is a high-frequency transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 6GHz (typical)
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 6GHz (typical)
- **Package**: SOT-343 (SC-82)

This transistor is designed for use in high-frequency applications such as RF amplification.