HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION The 2SC5855 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V
- **Collector Current (IC):** 10A
- **Collector Dissipation (PC):** 100W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 5A)
- **Transition Frequency (fT):** 10MHz (min)
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5855 transistor and are subject to standard manufacturing variations.