Power transistor (60V, 3A) The 2SC5824 is a high-frequency transistor manufactured by ROHM. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 1.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at VCE=6V, IC=2mA, f=1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 1.5GHz
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications are provided for reference and are based on ROHM's datasheet for the 2SC5824 transistor.