For Low Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type The 2SC5815 is a transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-speed switching, amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 900V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.