Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier The 2SC5812WG-TR-E is a transistor manufactured by Renesas. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-323 (SC-70)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Power Dissipation (PD)**: 150mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 1mA, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: High-frequency amplification, switching circuits

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.