Silicon NPN Power Transistors The 2SC5802 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in applications such as horizontal deflection output circuits in CRT displays. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V
- **Collector Current (IC):** 10A
- **Power Dissipation (PC):** 50W
- **Transition Frequency (fT):** 8MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5802 transistor. Always refer to the official datasheet for precise details.

Silicon NPN Power Transistors The 2SC5802 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by FAIRCHILD. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V  
- **Collector Current (IC):** 7A  
- **Power Dissipation (PC):** 50W  
- **Transition Frequency (fT):** 8MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 8 to 40  
- **Package:** TO-3P  

It is designed for use in high-voltage applications such as power supplies and inverters.

Silicon NPN Power Transistors The 2SC5802 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by FAI (First Audio International). Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 2A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 120-400
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC5802 transistor, which is commonly used in amplification and switching applications.