IC Phoenix logo

Home ›  2  › 220 > 2SC5785

2SC5785 from 长电

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

2SC5785

Manufacturer: 长电

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC5785 长电 2000 In Stock

Description and Introduction

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type The **2SC5785** is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for use in power amplification and switching applications. Known for its robust construction and reliable operation, this component is commonly utilized in audio amplifiers, power supply circuits, and RF applications where efficient signal handling is essential.  

With a collector-emitter voltage (VCE) rating of **150V** and a collector current (IC) capacity of **15A**, the 2SC5785 is well-suited for medium to high-power circuits. Its high current gain (hFE) ensures effective signal amplification, while a low saturation voltage minimizes power loss during switching operations. The transistor is housed in a **TO-220F** package, providing excellent thermal dissipation and mechanical stability.  

Engineers often select the 2SC5785 for its durability and consistent performance under demanding conditions. Proper heat sinking is recommended to maintain optimal efficiency, particularly in high-power applications. When used within specified parameters, this transistor delivers long-term reliability, making it a preferred choice in industrial and consumer electronics.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure compatibility with your circuit design.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC5785 TOSHIBA 1000 In Stock

Description and Introduction

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type The 2SC5785 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SC5785 transistor and are intended for use in high-speed switching and amplification applications.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips