Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications The 2SC5784 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 900V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 40W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (typical)
- **Applications**: High-speed switching, power amplification, and general-purpose applications.

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5784 transistor.