Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier The 2SC5773JR-TL-E is a transistor manufactured by Renesas Electronics. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-523 (SC-89)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Power Dissipation (Pc)**: 150mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 560 (at VCE = 6V, IC = 1mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: General-purpose amplification and switching.

This information is based on the datasheet provided by Renesas Electronics for the 2SC5773JR-TL-E transistor.