High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications The 2SC5755 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V
- **Collector Current (IC):** 5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 50W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 1A)
- **Transition Frequency (fT):** 10MHz (min)
- **Package:** TO-3P

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC5755 transistor.