Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications The 2SC5713 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-frequency amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 50V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 0.1A
- Total Power Dissipation (PT): 0.3W
- Transition Frequency (fT): 600MHz
- Operating Junction Temperature (Tj): 125°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C

The transistor is available in a small plastic package (TO-92MOD) and is suitable for applications such as VHF/UHF band amplification and oscillation circuits.